Threshold Voltage Control in Al0.72Ga0.28N/AlN/GaN HEMTs by Work-Function Engineering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010-09, Vol.31 (9), p.954-956
Hauptverfasser:	GUOWANG LI, ZIMMERMANN, Tom, YU CAO, CHUANXIN LIAN, XIU XING, RONGHUA WANG, FAY, Patrick, XING, Huili Grace, JENA, Debdeep
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Circuit properties Compound structure devices Design. Technologies. Operation analysis. Testing Digital circuits Electric, optical and optoelectronic circuits Electronic circuits Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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