Surface properties of passivated Hg0.8Zn0.2Te

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 1998-06, Vol.13 (6), p.622-629
Hauptverfasser: ROUSIERE, O, LEMOINE, D, QUEMERAIS, A, ASSI, C. K, GRANGER, R, TRIBOULET, R
Format: Artikel
Sprache:eng
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