Phase separation and thermally induced metal-insulator transition in heavily doped silicon (Si:B)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 1998-04, Vol.10 (13), p.2963-2971
Hauptverfasser:	Kim, K H, Wang, J P, Joiner, W C H, Kim, Y H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Exact sciences and technology Metal-insulator transitions and other electronic transitions Physics
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