Fabrication of 0.1 μm patterns using an alternating phase shift mask in ArF excimer laser lithography

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1997-12, Vol.36 (12B), p.7488-7493
Hauptverfasser:	NAKAZAWA, K, UEMATSU, M, ONODERA, T, KAMON, K, OGAWA, T, MORI, S, TAKAHASHI, M, OHFUJI, T, OHTSUKA, H, SASAGO, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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