Effects of Lateral Diffusion on the Temperature Sensitivity of the Threshold Current for 1.3-μm Double Quantum-Well GaInNAs-GaAs Lasers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of quantum electronics 2008-07, Vol.44 (7-8), p.607-616
Hauptverfasser:	ADOLFSSON, Göran, SHUMIN WANG, SADEGHI, Mahdad, BENGTSSON, Jörgen, LARSSON, Anders, JUN JUN LIM, VILOKKINEN, Ville, MELANEN, Petri
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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