High-Performance Gate-All-Around GeOI p-MOSFETs Fabricated by Rapid Melt Growth Using Plasma Nitridation and ALD Al2O3 Gate Dielectric and Self-Aligned NiGe Contacts

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2008-07, Vol.29 (7), p.805-807
Hauptverfasser:	JIA FENG, THAREJA, Gaurav, KOBAYASHI, Masaharu, SHULU CHEN, POON, Andrew, YUN BAI, GRIFFIN, Peter B, WONG, Simon S, NISHI, Yoshio, PLUMMER, James D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!