Stress Effect Analysis for PD SOI pMOSFETs with Undoped-Si0.88Ge0.12 Heterostructure Channel : Fundamentals and applications of advanced semiconductor devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEICE transactions on electronics 2008, Vol.91 (5), p.716-720
Hauptverfasser:	CHOI, Sang-Sik, CHOI, A-Ram, KIM, Jae-Yeon, YANG, Jeon-Wook, HWANG, Yong-Woo, HAN, Tae-Hyun, DEOK HO CHO, SHIM, Kyu-Hwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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