Epitaxial growth of Al on (NH4)2Sx-treated GaAs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1990-04, Vol.29 (4), p.L544-L547
Hauptverfasser:	OIGAWA, H, JIA-FA FAN, NANNICHI, Y, KAWABE, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface and interface dynamics and vibrations Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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