Si Ge alloys: growth, properties and applications
Due to advances in epitaxial techniques, the ability to deposit high-quality epitaxial silicon-germanium alloys at lower temperature, has opened up the applications of pseudomorphicSi 1−xGe x films in advanced bipolar transistors and in novel device structures. In this review paper, the various meth...
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Veröffentlicht in: | Applied surface science 1991-05, Vol.48, p.377-386 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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