Si Ge alloys: growth, properties and applications

Due to advances in epitaxial techniques, the ability to deposit high-quality epitaxial silicon-germanium alloys at lower temperature, has opened up the applications of pseudomorphicSi 1−xGe x films in advanced bipolar transistors and in novel device structures. In this review paper, the various meth...

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Veröffentlicht in:Applied surface science 1991-05, Vol.48, p.377-386
Hauptverfasser: Arienzo, Maurizio, Iyer, Subramanian S., Meyerson, Bernard S., Patton, Gary L., Stork, Johannes M.C.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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