Ion channeling analysis of a Si1-xGex(As)/Si strained layer

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1989-06, Vol.54 (25), p.2571-2573
Hauptverfasser:	MOORE, J. A, LENNARD, W. N, MASSOUMI, G. R, JACKMAN, T. E, BARIBEAU, J.-M, JACKMAN, J. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Low-dimensional structures (superlattices, quantum well structures, multilayers): structure, and nonelectronic properties Physics Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!