Modeling of the threshold voltage in strained Si /Si1-xGex/Si1-yGey(x≥ y) CMOS architectures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2007-11, Vol.54 (11), p.3040-3048
Hauptverfasser:	TSANG, Y. L, CHATTOPADHYAY, Sanatan, UPPAL, Suresh, ESCOBEDO-COUSIN, Enrique, RAMAKRISHNAN, Hiran K, OLSEN, Sarah H, O'NEILL, Anthony G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Materials Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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