Highly reliable 1.3-μm InGaAlAs buried heterostructure laser diode for 10GbE

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SATO, Hiroshi, TSUCHIYA, Tomonobu, KITATANI, Takeshi, TAKAHASHI, Noritsugu, OOUCHI, Kiyoshi, NAKAHARA, Koji, AOKI, Masahiro
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Semiconductor lasers laser diodes
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