High performance SOI technology for sub-45nm gate length CMOS manufacturing

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HORSTMANN, M, GREENLAW, D, SCHWAN, C, PETERS, C, LENSKI, M, PRESS, P, KAMMLER, Th, BIERSTEDT, H, OTTERBACH, R, NEU, A, WIECZOREK, K, SCHALLER, M, HUEBLER, P, SALZ, H, HOHAGE, J, RUELKE, H, KLAIS, J, GRASSHOFF, G, EHRICHS, E, GOAD, S, RAAB, M, KEPLER, N, STEPHAN, R, FEUDEL, Th, WEI, A, FROHBERG, K, HOENTSCHEL, J, JAVORKA, P, BURBACH, G
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0161-6374
2576-1579