Effect of the energy of ion-chemical etching of GaAs/AlxGa1-xAs structures on photoluminescence and degradation of devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Quantum electronics (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2005-05, Vol.35 (5), p.445-448
Hauptverfasser:	Zubanov, Andrei V, Uspenskii, Mikhail B, Shishkin, Viktor A
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; rus
Online-Zugang:	Volltext
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