Single-source cvd of 3C-SiC films in a LPCVD reactor. II. Reactor modeling and chemical kinetics

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2004-03, Vol.151 (3), p.C215-C219
Hauptverfasser:	VALENTE, Gianluca, WIJESUNDARA, Muthu B. J, MABOUDIAN, Roya, CARRARO, Carlo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!