Effects of Boron and Germanium Base Profiles on SiGe and SiGe:C BJT Characteristics

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Sadovnikov, A., Printy, C., Budri, T., Loo, R., Meunier-Beillard, P., El-Diwany, M.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Boron Carbon dioxide Doping profiles Electronics Epitaxial growth Exact sciences and technology Germanium silicon alloys Linearity Radio frequency Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Silicon germanium Temperature Transistors Tunneling
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