Use of AlOx in cladding layers of an antimonide laser structure emitting at 2.3 μm

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2001-11, Vol.16 (11), p.936-938
Hauptverfasser:	HANFOUG, R, SALESSE, A, YAREKHA, D. A, BARANOV, A. N, ALIBERT, C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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