Si 2[ital p] core-level chemical shifts at the H/Si(111)-(1[times]1) surface
We calculate the core-level shift of the Si 2[ital p] levels for atoms near the H/Si(111)-(1[times]1) surface. We show that a simple first-order perturbation theory using pseudopotentials and the local-density approximation gives good results for the photoemission spectra of the core electrons. The...
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Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1994-09, Vol.50:11 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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