Ultraviolet-induced deposition of SiO[sub 2] film from tetraethoxysilane spin-coated on Si
The authors have previously proposed a method for depositing silicon dioxide films on Si from tetraethoxysilane Si(OC[sub 2]H[sub 5])[sub 4] (TEOS) using ultraviolet (UV) light from a low pressure mercury lamp. In the method, an organic solution which contains TEOS is spin-coated onto a Si wafer sur...
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Veröffentlicht in: | Journal of the Electrochemical Society 1994-06, Vol.141:6 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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