On the cascade capture of electrons at charged dipoles in weakly compensated semiconductors
The times of the cascade capture of electrons at a donor–acceptor charged dipole for the case of the pulsed and steady-state excitation of impurity photoconductivity in GaAs, Ge, and Si are calculated. It is shown that the dependence of the frequency of the cascade capture on the concentration of th...
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Veröffentlicht in: | Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2017-11, Vol.51 (11), p.1444-1448 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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