Transverse Nernst–Ettingshausen Effect in Superlattices Upon Electron-Phonon Scattering

The Nernst–Ettingshausen coefficient is calculated in superlattices with the cosine dispersion law in the case of the scattering of charge carriers at acoustic and polar optical phonons in a magnetic field in the layer plane. A significant increase in the Nernst–Ettingshausen coefficient of a degene...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2018-07, Vol.52 (7), p.853-858
Hauptverfasser:	Figarova, S. R., Huseynov, H. I., Figarov, V. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Anisotropy CHARGE CARRIERS Coefficients Current carriers ELECTRON GAS Electrons ETTINGSHAUSEN EFFECT Low-Dimensional Systems MAGNETIC FIELDS Magnetic Materials Magnetism MAGNETIZATION MATERIALS SCIENCE Phonons Physics Physics and Astronomy Quantum Phenomena SCATTERING Semiconductor Structures SUPERLATTICES Thermomagnetic effects
Online-Zugang:	Volltext
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