Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrates

Vertically aligned Ge nanowires (NWs) are directly synthesized on glass via vapor-liquid-solid (VLS) growth using chemical-vapor deposition. The use of the (111)-oriented Ge seed layer, formed by metal-induced crystallization at 325 °C, dramatically improved the density, uniformity, and crystal qual...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2015-09, Vol.107 (13)
Hauptverfasser: Nakata, M., Toko, K., Jevasuwan, W., Fukata, N., Saitoh, N., Yoshizawa, N., Suemasu, T.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!