Control of ferromagnetism in (In{sub 0.9}Fe{sub 0.1}){sub 2}O{sub 3} via F doping of electron carriers
Highlights: • F doping was achieved by a process of low temperature reaction with PVDF. • RTFM was obtained in the F-doped (In{sub 0.9}Fe{sub 0.1}){sub 2}O{sub 3.} • Magnetism and electric resistivity can be controlled by the content of doped F. • The FM can be ascribed to a long range exchange inte...
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Veröffentlicht in: | Materials research bulletin 2015-01, Vol.61 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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