Low-temperature spray-deposited indium oxide for flexible thin-film transistors and integrated circuits

Indium oxide (In2O3) films were deposited by ultrasonic spray pyrolysis in ambient air and incorporated into bottom-gate coplanar and staggered thin-film transistors. As-fabricated devices exhibited electron-transporting characteristics with mobility values of 1 cm2V−1s−1 and 16 cm2V−1s−1 for coplan...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2015-03, Vol.106 (9)
Hauptverfasser: Petti, Luisa, Faber, Hendrik, Münzenrieder, Niko, Cantarella, Giuseppe, Patsalas, Panos A., Tröster, Gerhard, Anthopoulos, Thomas D.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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