Low-temperature spray-deposited indium oxide for flexible thin-film transistors and integrated circuits
Indium oxide (In2O3) films were deposited by ultrasonic spray pyrolysis in ambient air and incorporated into bottom-gate coplanar and staggered thin-film transistors. As-fabricated devices exhibited electron-transporting characteristics with mobility values of 1 cm2V−1s−1 and 16 cm2V−1s−1 for coplan...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2015-03, Vol.106 (9) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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