Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction
We investigate GaN nanowire ensembles spontaneously formed in plasma-assisted molecular beam epitaxy by non-destructive low-energy electron diffraction (LEED) and x-ray photoelectron diffraction (XPD). We show that GaN nanowire ensembles prepared on AlN-buffered 6H-SiC(0001¯) substrates with well-de...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2015-01, Vol.106 (2) |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!