Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction

We investigate GaN nanowire ensembles spontaneously formed in plasma-assisted molecular beam epitaxy by non-destructive low-energy electron diffraction (LEED) and x-ray photoelectron diffraction (XPD). We show that GaN nanowire ensembles prepared on AlN-buffered 6H-SiC(0001¯) substrates with well-de...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2015-01, Vol.106 (2)
Hauptverfasser: Romanyuk, O., Fernández-Garrido, S., Jiříček, P., Bartoš, I., Geelhaar, L., Brandt, O., Paskova, T.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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