Semipolar (202¯1) GaN and InGaN quantum wells on sapphire substrates

Here, we demonstrate a process to produce planar semipolar (202¯1) GaN templates on sapphire substrates. We obtain (202¯1) oriented GaN by inclined c-plane sidewall growth from etched sapphire, resulting in single crystal material with on-axis x-ray diffraction linewidth below 200 arc sec. The surfa...

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2014-06, Vol.104 (26)
Hauptverfasser: Leung, Benjamin, Wang, Dili, Kuo, Yu-Sheng, Xiong, Kanglin, Song, Jie, Chen, Danti, Park, Sung Hyun, Hong, Su Yeon, Choi, Joo Won, Han, Jung
Format: Artikel
Sprache:eng
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