Mechanisms of charge transport in anisotype n-TiO{sub 2}/p-CdTe heterojunctions

Surface-barrier anisotype n-TiO{sub 2}/p-CdTe heterojunctions are fabricated by depositing thin titanium-dioxide films on a freshly cleaved surface of single-crystalline cadmium-telluride wafers by reactive magnetron sputtering. It is established that the electric current through the heterojunctions...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2011-08, Vol.45 (8)
Hauptverfasser:	Brus, V. V., Ilashchuk, M. I., Kovalyuk, Z. D., Maryanchuk, P. D., Ulyanytsky, K. S., Gritsyuk, B. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CADMIUM CADMIUM TELLURIDES CHARGE TRANSPORT ELECTRIC CURRENTS ENERGY LEVELS HETEROJUNCTIONS IMPURITIES MAGNETRONS MATERIALS SCIENCE MONOCRYSTALS RECOMBINATION SPACE CHARGE SPUTTERING SURFACES TITANIUM OXIDES TUNNEL EFFECT
Online-Zugang:	Volltext
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