Specific features of the mechanisms of excitation of erbium photoluminescence in epitaxial Si:Er/Si structures

The excitation spectra and kinetics of erbium photoluminescence and silicon interband photoluminescence in Si:Er/Si structures under conditions of high-intensity pulse optical excitation are studied. It is shown that, in the interband photoluminescence spectra of the Si:Er/Si structures, both the lu...

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Veröffentlicht in:Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1472-1475
Hauptverfasser: Yablonskiy, A. N., Andreev, B. A., Krasilnikova, L. V., Kryzhkov, D. I., Kuznetsov, V. P., Krasilnik, Z. F.
Format: Artikel
Sprache:eng
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