Irreversible altering of crystalline phase of phase-change Ge-Sb thin films

The stability of the crystalline phase of binary phase-change Ge{sub x}Sb{sub 1-x} films is investigated over a wide range of Ge content. From Raman spectroscopy we find the Ge-Sb crystalline structure irreversibly altered after exposure to a laser beam. We show that with increasing beam intensity/t...

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2010-03, Vol.96 (12)
Hauptverfasser: Krusin-Elbaum, L., Department of Physics, The City College of New York, New York 10031, Shakhvorostov, D., Cabral, C. Jr, Raoux, S., Jordan-Sweet, J. L., NSLS, Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973
Format: Artikel
Sprache:eng
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