Strain-driven alignment of In nanocrystals on InGaAs quantum dot arrays and coupled plasmon-quantum dot emission
We report the alignment of In nanocrystals on top of linear InGaAs quantum dot (QD) arrays formed by self-organized anisotropic strain engineering on GaAs (100) by molecular beam epitaxy. The alignment is independent of a thin GaAs cap layer on the QDs revealing its origin is due to local strain rec...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2010-03, Vol.96 (11), p.113101-113101-3 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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