Strain-driven alignment of In nanocrystals on InGaAs quantum dot arrays and coupled plasmon-quantum dot emission

We report the alignment of In nanocrystals on top of linear InGaAs quantum dot (QD) arrays formed by self-organized anisotropic strain engineering on GaAs (100) by molecular beam epitaxy. The alignment is independent of a thin GaAs cap layer on the QDs revealing its origin is due to local strain rec...

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2010-03, Vol.96 (11), p.113101-113101-3
Hauptverfasser: Urbańczyk, A., Hamhuis, G. J., Nötzel, R.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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