Growth and Properties of Hexagonal SiC Bulk Crystals and Epilayers
Growth of bulk hexagonal SiC crystals by Physical Vapor Transport relies on sublimation / condensation of a solid SiC charge performed in a semi-closed crucible at 2200-2400 deg C. The gradual loss of silicon-rich vapor results in the shift of crystal stoichiometry from silicon to carbon rich and as...
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| Format: | Tagungsbericht |
| Sprache: | eng |
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| Online-Zugang: | Volltext |
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