Interactions between radical growth precursors on plasma-deposited silicon thin-film surfaces
We present a detailed analysis of the interactions between growth precursors, Si H 3 radicals, on surfaces of silicon thin films. The analysis is based on a synergistic combination of density functional theory calculations on the hydrogen-terminated Si ( 001 ) - ( 2 × 1 ) surface and molecular-dynam...
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Veröffentlicht in: | The Journal of chemical physics 2007-03, Vol.126 (11), p.114704-114704-11 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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