Interactions between radical growth precursors on plasma-deposited silicon thin-film surfaces

We present a detailed analysis of the interactions between growth precursors, Si H 3 radicals, on surfaces of silicon thin films. The analysis is based on a synergistic combination of density functional theory calculations on the hydrogen-terminated Si ( 001 ) - ( 2 × 1 ) surface and molecular-dynam...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:The Journal of chemical physics 2007-03, Vol.126 (11), p.114704-114704-11
Hauptverfasser: Bakos, Tamas, Valipa, Mayur S., Maroudas, Dimitrios
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!