p -type ZnO films with solid-source phosphorus doping by molecular-beam epitaxy

Phosphorus-doped p -type ZnO films were grown on r -plane sapphire substrates using molecular-beam epitaxy with a solid-source GaP effusion cell. X-ray diffraction spectra and reflection high-energy electron diffraction patterns indicate that high-quality single crystalline ( 11 2 ¯ 0 ) ZnO films we...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2006-01, Vol.88 (5), p.052106-052106-3
Hauptverfasser: Xiu, F. X., Yang, Z., Mandalapu, L. J., Liu, J. L., Beyermann, W. P.
Format: Artikel
Sprache:eng
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