p -type ZnO films with solid-source phosphorus doping by molecular-beam epitaxy
Phosphorus-doped p -type ZnO films were grown on r -plane sapphire substrates using molecular-beam epitaxy with a solid-source GaP effusion cell. X-ray diffraction spectra and reflection high-energy electron diffraction patterns indicate that high-quality single crystalline ( 11 2 ¯ 0 ) ZnO films we...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2006-01, Vol.88 (5), p.052106-052106-3 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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