Enhanced Lithiation of Doped 6H Silicon Carbide (0001) via High Temperature Vacuum Growth of Epitaxial Graphene

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of physical chemistry. C 2012-09, Vol.116 (39)
Hauptverfasser: Lipson, Albert L., Chattopadhyay, Sudeshna, Karmel, Hunter J., Fister, Timothy T., Emery, Jonathan D., Dravid, Vinayak P., Thackeray, Michael M., Fenter, Paul A., Bedzyk, Michael J., Hersam, Mark C.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1932-7447
1932-7455
DOI:10.1021/jp307220y