Internal quantum efficiency and carrier dynamics in semipolar (20 21 ) InGaN/GaN light-emitting diodes

The internal quantum efficiencies (IQE) and carrier lifetimes of semipolar (202¯1¯) InGaN/GaN LEDs with different active regions are measured using temperature-dependent, carrier-density-dependent, and time-resolved photoluminescence. Three active regions are investigated: one 12-nm-thick single qua...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optics express 2017-02, Vol.25 (3), p.2178-2186
Hauptverfasser:	Okur, Serdal, Nami, Mohsen, Rishinaramangalam, Ashwin K, Oh, Sang H, DenBaars, Steve P, Liu, Sheng, Brener, Igal, Feezell, Daniel F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	light emitting diodes NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY photoluminescence Quantum-well, -wire and -dot devices spectroscopy time-resolved
Online-Zugang:	Volltext
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