Metamorphic GaAsP buffers for growth of wide-bandgap InGaP solar cells

GaAs x P 1 − x graded buffers were grown via solid source molecular beam epitaxy (MBE) to enable the fabrication of wide-bandgap In y Ga 1 − y P solar cells. Tensile-strained GaAs x P 1 − x buffers grown on GaAs using unoptimized conditions exhibited asymmetric strain relaxation along with formation...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2011-01, Vol.109 (1), p.013708-013708-6
Hauptverfasser:	Simon, J., Tomasulo, S., Simmonds, P. J., Romero, M., Lee, M. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	cell efficiency device performance MATERIALS SCIENCE solar cells SOLAR ENERGY
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!