Reversible control of Co magnetism by voltage-induced oxidation

We demonstrate that magnetic properties of ultrathin Co films adjacent to Gd2O3 gate oxides can be directly manipulated by voltage. The Co films can be reversibly changed from an optimally oxidized state with a strong perpendicular magnetic anisotropy to a metallic state with an in-plane magnetic an...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review letters 2014-12, Vol.113 (26), p.267202-267202, Article 267202
Hauptverfasser: Bi, Chong, Liu, Yaohua, Newhouse-Illige, T, Xu, M, Rosales, M, Freeland, J W, Mryasov, Oleg, Zhang, Shufeng, te Velthuis, S G E, Wang, W G
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!