fentanylおよびmidazolamの脊髄後角第V層型細胞活動に及ぼす影響
脊髄後角第V層型細胞(widedynamicrangeneu-ron)は同側のポリモダール受容器からAδおよびCHberを介してpintch, touch, pressureの広範囲の刺激をうける脊髄視床路中の二次ニューロンである. これらの細胞はenkephalin系, noradrenalin系, serotcmin系など上位中枢からの下行性抑制系を含むさまざまな介在ニューロンの修飾をうける. 脊髄後角ではopioid受容体の他にbenzodiazepine(以下, BZP)受容体も多く存在し, これらの受容体を介して脊髄レベルで侵害刺激に対する直接的抑制作用を現すことが明らかにされている...
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Veröffentlicht in: | PAIN RESEARCH 1992, Vol.7 (2), p.97-103 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | jpn |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 脊髄後角第V層型細胞(widedynamicrangeneu-ron)は同側のポリモダール受容器からAδおよびCHberを介してpintch, touch, pressureの広範囲の刺激をうける脊髄視床路中の二次ニューロンである. これらの細胞はenkephalin系, noradrenalin系, serotcmin系など上位中枢からの下行性抑制系を含むさまざまな介在ニューロンの修飾をうける. 脊髄後角ではopioid受容体の他にbenzodiazepine(以下, BZP)受容体も多く存在し, これらの受容体を介して脊髄レベルで侵害刺激に対する直接的抑制作用を現すことが明らかにされている3・7・13). 今回, 我々はクモ膜下腔投与されたfentanyl, midazolam, およびこれらの少量複合投与による侵害刺激に対する脊髄後角第V層型細胞活動に及ぼす影響について電気生理学的に検討した. |
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ISSN: | 0915-8588 |