The Influence of H-2 Plasma Treatment on LWR Mitigation: The Importance of EUV Photoresist Composition

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. To meet the demands for sub-20 nm feature devices in the semiconductor industry, minimizing the line width roughness (LWR) is a critical concern for ultra-large scale integrated circuit manufacturing. Post-lithography treatments should reduce th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Plasma Processes and Polymers 2015, Vol.12 (7), p.624-641
Hauptverfasser:	De Schepper, Peter, Z el Otell, Ziad, Pret, Alessandro Vaglio, Altamirano-Sanchez, Efrain, De Gendt, Stefan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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