W-Band MMIC chipset in 0.1-㎛ mHEMT technology

We developed a 0.1-㎛ metamorphic high electron mobility transistor and fabricated a W-band monolithic microwave integrated circuit chipset with our in-house technology to verify the performance and usability of the developed technology. The DC characteristics were a drain current density of 747 mA/m...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ETRI journal 2020, Vol.42 (4), p.549-561
Hauptverfasser:	Lee, Jong-Min, Chang, Woo-Jin, Kang, Dong Min, Min, Byoung-Gue, Yoon, Hyung Sup, Chang, Sung-Jae, Jung, Hyun-Wook, Kim, Wansik, Jung, Jooyong, Kim, Jongpil, Seo, Mihui, Kim, Sosu
Format:	Artikel
Sprache:	kor
Online-Zugang:	Volltext
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