DESIGN OF A NEUTRON SCREEN FOR 6-INCH NEUTRON TRANSMUTATION DOPING IN HANARO
The neutron transmutation doping of silicon (NTD), as a method to produce a high quality semiconductor, utilizes the transmutation of a silicon element into phosphorus by neutron absorption in a silicon single crystal. In this paper, we present the design of a neutron screen for a 6' Si ingot i...
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Veröffentlicht in: | Nuclear engineering and technology 2006, Vol.38 (7), p.675-680 |
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Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | kor |
Online-Zugang: | Volltext |
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