Dopant contrast in the helium ion microscope

Due to miniaturisation of semiconductor devices, there is an increasing need for nanoscale characterisation of dopant distributions. Scanning electron microscopy (SEM) has been identified as a potential technique to fulfil this need, providing that a small enough probe size (~ 0.1 nm) could be achie...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Europhysics letters 2009-02, Vol.85 (4), p.46001-46001(4)
Hauptverfasser:	Jepson, M. A. E, Inkson, B. J, Rodenburg, C, Bell, D. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	61.72.uf 68.37.Hk 68.37.Vj
Online-Zugang:	Volltext
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