ZrO2/InAlN/GaN Metal--Oxide--Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistors with InAlN Barrier of Different Compositions

We report on InAlN/GaN heterostructure metal--oxide--semiconductor field-effect transistors (MOSHFETs) with an InAlN barrier layer of different compositions ($x_{\text{InN}} = 13$, 17, and 21%) and ZrO 2 gate-insulator/passivation. Static measurements yielded higher drain currents than those on unpa...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Jpn J Appl Phys 2013-08, Vol.52 (8), p.08JN07-08JN07-4
Hauptverfasser:	Gregušová, Dagmar, Hušeková, Kristína, Stoklas, Roman, Blaho, Michal, Jurkovič, Michal, Carlin, Jean-Francois, Grandjean, Nicolas, Kordoš, Peter
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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