Comparison of Multilayer Dielectric Thin Films for Future Metal--Insulator--Metal Capacitors: Al2O3/HfO2/Al2O3 versus SiO2/HfO2/SiO2

In this paper, two kinds of multilayered metal--insulator--metal (MIM) capacitors using Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 (AHA) and SiO 2 /HfO 2 /SiO 2 (SHS) were fabricated and characterized for radio frequency (RF) and analog mixed signal (AMS) applications. The experimental results indicate that the AHA...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Jpn J Appl Phys 2011-10, Vol.50 (10), p.10PB06-10PB06-4
Hauptverfasser:	Park, Sang-Uk, Kwon, Hyuk-Min, Han, In-Shik, Jung, Yi-Jung, Kwak, Ho-Young, Choi, Woon-Il, Ha, Man-Lyun, Lee, Ju-Il, Kang, Chang-Yong, Lee, Byoung-Hun, Jammy, Raj, Lee, Hi-Deok
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!