Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-Doped TiO2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy Method

Crystal phase-selective epitaxy of Nb-doped TiO 2 (TiO 2 :Nb) films on GaN is demonstrated using the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method. On the clean (0001) GaN, rutile (100) TiO 2 :Nb was grown regardless of growth temperature ($T_{\text{g}}$). On the (0001) GaN covered with a mo...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2010-09, Vol.3 (9), p.091102-091102-3
Hauptverfasser:	Hazu, Kouji, Fouda, Aly, Nakayama, Tokuyuki, Tanaka, Akikazu, Chichibu, Shigefusa F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!