Multiscale modeling for SiO2 atomic layer deposition for high-aspect-ratio hole patterns

A multiscale simulation model is developed for optimizing the parameters of SiO2 plasma-enhanced atomic layer deposition of high-aspect-ratio hole patterns in three-dimensional (3D) stacked memory. This model takes into account the diffusion of a precursor in a reactor, that in holes, and the adsorp...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2018-06, Vol.57 (6S2)
Hauptverfasser:	Miyano, Yumiko, Narasaki, Ryota, Ichikawa, Takashi, Fukumoto, Atsushi, Aiso, Fumiki, Tamaoki, Naoki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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