Fabrication and characterization of a Pt/MgxZn1−xO/ZnO Schottky barrier photodiode utilizing a field plate structure

We fabricated a Pt/MgxZn1−xO/ZnO Schottky barrier photodiode (SBPD) utilizing a field plate structure and investigated the characteristics of its electric property toward realization of a high-gain avalanche photodiode for feeble ultraviolet ray detection. A MgxZn1−xO film on the Zn-face of a c-ZnO...

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Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2018-04, Vol.57 (4S)
Hauptverfasser: Endo, Haruyuki, Takahashi, Kyo, Kashiwaba, Yasube
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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