Schottky barrier height modification of metal/4H-SiC contact using ultrathin TiO2 insertion method

The fabrication processes, electrical characteristics, and reliability of the Schottky barrier diodes (SBDs) on an n-type 4H-silicon carbide (SiC) substrate are investigated. To modulate the Schottky barrier height (SBH), titanium dioxide (TiO2) is inserted at the interface between the metal and the...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2014-03, Vol.53 (4S)
Hauptverfasser:	Tsui, Bing-Yue, Cheng, Jung-Chien, Lee, Lurng-Shehng, Lee, Chwan-Ying, Tsai, Ming-Jinn
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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