Phase separation of thick (∼1 µm) InxGa1−xN (x ∼ 0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

0.3-2-µm-thick InxGa1−xN (x ∼ 0.3) films are grown at 650 °C on AlN/Si(111) substrates by metal organic vapor phase epitaxy. When the thickness of an epitaxial InGaN film exceeds ∼1 µm, peaks of GaN-rich InGaN(0002) and metallic In(101) appear in the X-ray diffraction profiles. The InN composition ∼...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2014-02, Vol.7 (3)
Hauptverfasser:	Yamamoto, Akio, Hasan, Md. Tanvir, Mihara, Akihiro, Narita, Norihiko, Shigekawa, Naoteru, Kuzuhara, Masaki
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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