Controlling the resistive switching polarity in ReS2 lateral memristors through the modulation of crystal structures

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2023-04, Vol.16 (4)
Hauptverfasser:	Ke, Congming, Huang, Feihong, Zhang, Zongnan, Li, Xu, Wu, Zhiming, Zhang, Chunmiao, Xu, Feiya, Wu, Yaping, Kang, Junyong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	bipolar and unipolar nonvolatility crystal structures ReS resistive switching
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!